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STW30N65M5 Datasheet(Fiches technique) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited

Numéro de pièce STW30N65M5
Description  isc N-Channel MOSFET Transistor
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Fabricant  ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
Site Internet  http://www.iscsemi.cn
Logo 

   
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isc website:www.iscsemi.com
isc & iscsemi is registered trademark
2
isc N-Channel MOSFET Transistor
STW30N65M5
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25℃ unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
MAX
UNIT
V(BR)DSS
Drain-Source Breakdown Voltage
VGS= 0; ID= 1mA
650
V
VGS(th)
Gate Threshold Voltage
VDS= VGS; ID= 0.25mA
3
5
V
RDS(on)
Drain-Source On-Resistance
VGS= 10V; ID= 11A
0.139
Ω
IGSS
Gate-Body Leakage Current
VGS= ±25V;VDS= 0
±
100
nA
IDSS
Zero Gate Voltage Drain Current
VDS= 650V; VGS= 0
1
μ
A
VDS= 650V; VGS= 0; TC=125℃
100
VSD
Forward On-Voltage
IS= 22A; VGS= 0
1.5
V




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