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STP20NM60FP Datasheet(Fiches technique) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited

Numéro de pièce STP20NM60FP
Description  isc N-Channel MOSFET Transistor
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Fabricant  ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
Site Internet  http://www.iscsemi.cn
Logo 

   
 1 page
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isc website:www.iscsemi.cn
isc & iscsemi is registered trademark
1
isc N-Channel MOSFET Transistor
STP20NM60FP
·
FEATURES
·
With TO-220F packaging
·
High speed switching
·
Low gate input resistance
·
Standard level gate drive
·
Easy to use
·
100% avalanche tested
·
Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·
APPLICATIONS
·
Power supply
·
Switching applications
·
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VDSS
Drain-Source Voltage
600
V
VGSS
Gate-Source Voltage
±
30
V
ID
Drain Current-Continuous
20
A
IDM
Drain Current-Single Pulsed
80
A
PD
Total Dissipation
45
W
Tj
Operating Junction Temperature
150
Tstg
Storage Temperature
-65~150
·
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
MAX
UNIT
Rth(ch-c)
Channel-to-case thermal resistance
2.8
/W
Rth(ch-a)
Channel-to-ambient thermal resistance
62.5
/W




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