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STD5NM50T4 Datasheet(Fiches technique) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited

Numéro de pièce STD5NM50T4
Description  isc N-Channel MOSFET Transistor
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Fabricant  ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
Site Internet  http://www.iscsemi.cn
Logo 

   
 1 page
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isc website:www.iscsemi.cn
isc & iscsemi is registered trademark
1
isc N-Channel MOSFET Transistor
STD5NM50T4
·
FEATURES
·
Static drain-source on-resistance:
RDS(on)≤0.8Ω
·
100% avalanche tested
·
Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·
DESCRITION
·
Switching applications
·
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VDSS
Drain-Source Voltage
500
V
VGS
Gate-Source Voltage
±
30
V
ID
Drain Current-Continuous
7.5
A
IDM
Drain Current-Single Pulsed
30
A
PD
Total Dissipation @TC=25℃
100
W
Tj
Max. Operating Junction Temperature
150
Tstg
Storage Temperature
-55~150
·
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
MAX
UNIT
Rth(j-c)
Channel-to-case thermal resistance
1.25
/W




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