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EMC07N08E Fiches technique(PDF) 5 Page - Excelliance MOS Corp. |
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EMC07N08E Fiches technique(HTML) 5 Page - Excelliance MOS Corp. |
5 / 6 page 2015/10/8 p.5 EMC07N08E Single Pulse Time( sec ) Single Pulse Maximum Power Dissipation 0.01 0 1000 500 0.1 1 2500 1500 2000 3000 10 100 1000 R = 0.55 C/W Single Pulse C ° T = 25 C θJC ° Q ‐ Gate Charge( nC ) 0 0 2 4 g 10 20 I = 40A 6 8 10 D 30 40 40V V = 20V DS Gate Charge Characteristics V ‐ Drain‐Source Voltage( V ) 2000 0 0 1000 DS 20 Crss Coss 3000 4000 Ciss 40 60 80 GS f = 1MHz V = 0 V Capacitance Characteristics Maximum Safe Operating Area VDS, Drain‐Source Voltage( V ) 10μs 100μs 1ms 10ms DC TC=25°C RθJC=0.55°C/W Vgs=10V Single Pulse RDS (ON ) Lim ited 3 10 10 2 1 10 10 0 ‐1 10 2 10 10 1 0 10 single pulse D=0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 t2 t1 PDM ※Note : 1. RθJC(t)=0.55°C/W Max. 2. Duty Cycle, D=t1/ t2 3. TJM ‐ TC=PDM*RθJC(t) Transient Thermal Response Curve t1,Time( sec ) 10 ‐2 10 0 ‐1 10 10 1 0 10 10 ‐1 ‐2 10 10 ‐3 ‐4 10 10 ‐5 |
Numéro de pièce similaire - EMC07N08E |
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Description similaire - EMC07N08E |
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