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NUC130-SE2N Fiches technique(PDF) 93 Page - Nuvoton Technology Corporation |
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NUC130-SE2N Fiches technique(HTML) 93 Page - Nuvoton Technology Corporation |
93 / 97 page NuMicro NUC230/240 Datasheet Dec. 30, 2014 Page 93 of 97 Revision 1.01 8.4.8.4 USB LDO Specification SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT VBUS VBUS Pin Input Voltage 4.0 5.0 5.5 V VDD33 LDO Output Voltage 3.0 3.3 3.6 V Cbp External Bypass Capacitor 1.0 - uF 8.5 Flash DC Electrical Characteristics SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT VDD Supply Voltage 1.62 1.8 1.98 V [2] NENDUR Endurance 10000 cycles [1] TRET Data Retention At 25℃ 100 year TERASE Page Erase Time 20 ms TMER Mass Erase Time 40 ms TPROG Program Time 40 μs IDD1 Read Current - 0.15 0.5 mA/MHz IDD2 Program/Erase Current 7 mA 1. Number of program/erase cycles. 2. VDD is source from chip LDO output voltage. This table is guaranteed by design, not test in production. |
Numéro de pièce similaire - NUC130-SE2N |
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Description similaire - NUC130-SE2N |
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