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2SK3309 Fiches technique(PDF) 3 Page - Toshiba Semiconductor |
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3 / 6 page 2SK3309 2002-09-04 3 Drain-source voltage VDS (V) ID – VDS Drain-source voltage VDS (V) ID – VDS Gate-source voltage VGS (V) ID – VGS Gate-source voltage VGS (V) VDS – VGS Drain current ID (A) ïYfsï – ID Drain current ID (A) RDS (ON) – ID 8 0 0 2 4 6 10 2 4 8 6 10 VGS = 6 V 8 8.5 10 15 Common source Tc = 25°C Pulse test 7.5 7 25 100 Tc = -55°C Common source VDS = 20 V Pulse test 0.1 1 10 100 100 10 1 0.1 1 10 100 10 1 0.1 Common source Tc = 25°C Pulse test VGS = 10, 15 V 0 20 4 8 12 16 0 10 6 2 8 4 12 Common source VDS = 20 V Pulse test Tc = -55°C 25 100 20 16 12 8 4 0 0 10 20 30 40 50 VGS = 6 V Common source Tc = 25°C Pulse test 7 7.5 15 10 8.5 9 8 0 2 4 8 10 0 ID = 10 A 4 8 12 20 2.5 5 Common source Tc = 25°C Pulse test 16 6 |
Numéro de pièce similaire - 2SK3309 |
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Description similaire - 2SK3309 |
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