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2SK3116-S Fiches technique(PDF) 7 Page - NEC |
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2SK3116-S Fiches technique(HTML) 7 Page - NEC |
7 / 8 page Data Sheet D13339EJ2V0DS 7 2SK3116 PACKAGE DRAWINGS (Unit: mm) 1) TO-220AB (MP-25) 2) TO-262 (MP-25 Fin Cut) 3) TO-263 (MP-25ZJ) Remark Strong electric field, when exposed to this device, can cause destruction of the gate oxide and ultimately degrade the device operation. Steps must be taken to stop generation of static electricity as much as possible, and quickly dissipate it once, when it has occurred. 4.8 MAX. 1.Gate 2.Drain 3.Source 4.Fin (Drain) 1 2 3 10.6 MAX. 10.0 TYP. 3.6±0.2 4 1.3±0.2 0.75±0.1 2.54 TYP. 2.54 TYP. 1.3±0.2 0.5±0.2 2.8±0.2 φ 4.8 MAX. 1.Gate 2.Drain 3.Source 4.Fin (Drain) 1 2 3 10 TYP. 1.3±0.2 0.75±0.3 2.54 TYP. 2.54 TYP. 1.3±0.2 0.5±0.2 2.8±0.2 4 1.4±0.2 2.54 TYP. 2.54 TYP. 123 4 4.8 MAX. 1.3±0.2 0.5±0.2 1.Gate 2.Drain 3.Source 4.Fin (Drain) 0.7±0.2 10 TYP. 0.5R TYP. 0.8R TYP. EQUIVALENT CIRCUIT Body Diode Source (S) Drain (D) Gate (G) 5 |
Numéro de pièce similaire - 2SK3116-S |
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Description similaire - 2SK3116-S |
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