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2SK3556-01S Fiches technique(PDF) 2 Page - Fuji Electric |
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2SK3556-01S Fiches technique(HTML) 2 Page - Fuji Electric |
2 / 4 page 2 Characteristics 2SK3556-01L,S,SJ FUJI POWER MOSFET ID=f(VGS):80µs Pulse test, VDS=25V,Tch=25°C ID=f(VDS):80µs Pulse test,Tch=25°C gfs=f(ID):80µs Pulse test, VDS=25V,Tch=25°C RDS(on)=f(ID):80µs Pulse test, Tch=25°C 0 25 50 75 100 125 150 0 25 50 75 100 125 150 175 200 Allowable Power Dissipation PD=f(Tc) Tc [ °C] 024 68 10 12 0 20 40 60 80 100 20V 7.0V 10V 8V 6.5V 7.5V 6.0V VDS [V] Typical Output Characteristics VGS=5.5V 01 234 56789 10 0.1 1 10 100 VGS[V] Typical Transfer Characteristic 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 ID [A] Typical Transconductance 0 20 406080 100 0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 7.0V 6.5V ID [A] Typical Drain-Source on-state Resistance 10V 20V 8V 7.5V 6.0V VGS= 5.5V -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 0 30 60 90 120 150 180 210 240 270 Tch [ °C] typ. max. Drain-Source On-state Resistance RDS(on)=f(Tch):ID=12.5A,VGS=10V |
Numéro de pièce similaire - 2SK3556-01S |
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Description similaire - 2SK3556-01S |
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