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TSM10NB60 Fiches technique(PDF) 5 Page - Taiwan Semiconductor Company, Ltd |
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TSM10NB60 Fiches technique(HTML) 5 Page - Taiwan Semiconductor Company, Ltd |
5 / 7 page TSM10NB60 Taiwan Semiconductor Document Number: DS_P0000276 5 Version: A15 CHARACTERISTICS CURVES (TC = 25°C unless otherwise noted) Capacitance vs. Drain-Source Voltage BVDSS vs. Junction Temperature Maximum Safe Operating Area (ITO-220) Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case (ITO-220) 10 -4 10 -3 10 -2 10 1 Square Wave Pulse Duration (s) 10 -1 10 0 10 -1 10 -2 10 -4 10 1 10 -6 10 0 Duty=0.5 Duty=0.2 Duty=0.1 Duty=0.05 Duty=0.02 Duty=0.01 Single pulse 10 -5 10 -3 VDS, Drain to Source Voltage (V) TJ, Junction Temperature (°C) VDS, Drain to Source Voltage (V) |
Numéro de pièce similaire - TSM10NB60 |
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Description similaire - TSM10NB60 |
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